【賽迪網訊】10月30日消息，據國外媒體報道， IBM近日表示，該公司位于美國紐約州約克城高地(Yorktown Heights)的IBM TJ沃森研究中心科學家們已在碳納米芯片研究方面取得重大進展。科學家們將碳納米管安裝到一塊硅片上，以創造出一塊有1萬個晶體管工作的混合芯片。而這一數字是傳統硅晶體管數量上限的100倍左右。 據悉，碳納米晶體管除了體積小之外，導電性能也很優越。在該技術下生產出來的芯片性能將獲得巨大的提升。不過，由于該技術尚未成熟，預計至少十年之后才能用于商業生產。 在芯片領域，近些年來研究者們越來越擔憂“摩爾定理（一塊芯片上工作的晶體管數量每12至18個月能翻倍）失效的時間可能會提早”。IBM表示，這是一項重大的研究突破，值得為之興奮。過去50年以來在芯片研究領域硅一直是基礎材料，雖然其存在著不足，但截至目前科學家們仍然尚未找到一個好的解決方案，而科學家們預期碳納米可使芯片制造商能夠生產出“開關速度比硅類成分快很多”的更小晶體管。 IBM研究中心負責太陽能發電技術的蘇普拉蒂克-古哈(Supratik Guha)表示，其研究小組認為碳納米產品的表現會超過通過其他任何材料轉變而生產出來的產品。在總體時鐘頻率 （clock speed ）方面，近些年來從整體來看處理器行業已處于“撞墻停滯”狀態，這迫使該行業轉變方向而生產多核處理器，以幫助處理工作載荷而不是繼續提高時鐘頻率。科學家們預計一旦該項新技術能夠在本世紀末用于實際中，那么未來的處理器的時鐘頻率將會比現在高出很多。